На предприятии освоен новый тип кремниевых подложек – пластины со сквозными каналами р-типа (КССК), изготовленными по топологии заказчика. Основным процессом создания сквозных каналов p-типа является термомиграция - перекристаллизация полупроводникового материала жидкой зоной раствора-расплава в поле градиента температуры, которая позволяет создавать изолированные кремниевые структуры произвольной формы (кольцевые и точечные сквозные каналы p-типа). Для выполнения термомиграции на предприятии создана специальная установка, сам процесс органично сочетается с традиционными операциями полупроводникового производства: диффузии, фотолитографии, эпитаксии. Полученные на данный момент результаты позволяют приступить к опробованию пластин со сквозными каналами р-типа в технологии производства различных полупроводниковых приборов.
Кремниевые структуры со сквозными каналами (КССК)
Дополнительно