В рамках ежегодно проводимого "Дня российской науки" в ВГТУ от АО "ВЗПП-Микрон" был представлен доклад "Воронежская школа кристального производства микроэлектроники: от истоков к будущему" . В этом году событие совпадает с 300-летней годовщиной образования российской академии наук.
Главный конструктор АО "ВЗПП-Микрон" Скиданов А.А выступил с обзорным докладом об истории становления мировых технологий микроэлектроники и кристального производства полупроводниковых приборов и микросхем. Отдельное внимание было уделено истории становления Воронежской школы технологий производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Отмечена большая роль Воронежского производственного комплекса в истории отечественной микроэлектроники, а так же произведён обзор состояния дел и перспектив развития.
В год своего 25-тилетия АО "ВЗПП-Микрон" продолжает осваивать новые направления технологии силовой электроники. За последние годы освоены технологии: силовых МОП-транзисторов с канавочным затвором, пассивации высоковольтных приборов на основе ПККЛК, пластин со сквозными каналами р-типа создаваемых методом термомиграции. Обозначен план перехода к освоению силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC).
Главный конструктор АО "ВЗПП-Микрон" Скиданов А.А выступил с обзорным докладом об истории становления мировых технологий микроэлектроники и кристального производства полупроводниковых приборов и микросхем. Отдельное внимание было уделено истории становления Воронежской школы технологий производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Отмечена большая роль Воронежского производственного комплекса в истории отечественной микроэлектроники, а так же произведён обзор состояния дел и перспектив развития.
В год своего 25-тилетия АО "ВЗПП-Микрон" продолжает осваивать новые направления технологии силовой электроники. За последние годы освоены технологии: силовых МОП-транзисторов с канавочным затвором, пассивации высоковольтных приборов на основе ПККЛК, пластин со сквозными каналами р-типа создаваемых методом термомиграции. Обозначен план перехода к освоению силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC).
