Перспективные разработки:
- В настоящее время ведется работа по освоению конструкции диода с обратной полярностью расположения анодного и катодного вывода, изготавливаемого с использованием пластин со сквозными каналами р-типа. Такой прибор позволит упростить технологию сборки силовых модулей, повысить тепловую, динамическую стабильность параметров и общую надежность изделия, при лучших технико-экономических показателях в сравнении с технологией аналогичных приборов, изготовленных по технологии с защитной фаской или плавающими охранными кольцами.
- Мощные высоковольтные ограничители переходных напряжений. Технология со сквозными p—n-переходами позволят значительно повышать устойчивость p—n-перехода к токовым перегрузкам, возникающим в моменты искровых/грозовых пробоев или коммутационных перенапряжений. За счёт объёмной интеграции, это позволит получать ограничители напряжения с пониженным дифференциальным сопротивлением и увеличенной устойчивостью к импульсным токам (по сравнению с существующими решениями на планарных p—n-переходах), с другой стороны открывается возможность проектирования приборов близких по параметрам к варисторам, но с существенно лучшим быстродействием, меньшими утечками и более высокой надежностью.
- Точечные переходные контакты для применения в сенсорике. Сквозные каналы р-типа имеют высокий уровень легирования (Na>1019), что позволяет формировать сквозные переходные контакты в изолирующих кремниевых монтажных платах, имеющих площадки на обратной стороне. Такое решение позволяет изготавливать микроминиатюрные чип-размерные несущие платы, позволяющие использовать бескорпусные микросборки для монтажа в труднодоступном объёме и эксплуатации в широком диапазоне температур. Кремниевая технология позволяет сформировать изолированные карманы, содержащие дополнительные полупроводниковые структуры (защитные диоды, резисторы, датчики температуры).
- Цепочки p—n-переходов. Существует возможность формировать цепочки резких последовательных изолированных p—n-переходов для достижения высоковольтных обратных характеристик диодов, либо высокого уровня термочувствительной p—n-перехода, смещенного в прямом направлении. Отдельная ячейка может иметь полное изолирующее окружение p—n-переходом (p—n-переход с боковой и нижней стороны пластины), либо только боковое.
