История

На базе имущественного комплекса предприятия учреждено ЗАО «ВЗПП-Микрон».
C 2001г. разрабатываются и производятся кристаллы диодов Шоттки, предназначенные для использования  в производстве импульсных источников питания, конверторах, в схемах защиты батарей от переполюсовки и др. В этот период завод. получил право самостоятельного выхода на зарубежные рынки.
Наладился экспорт диодов Шоттки на кремниевых эпитаксиальных структурах по планарной технологии с различными типами барьеров, такими как Pt.

Разработана технология изготовления и созданы первые образцы диодов Шоткки с Мо, Ni барьером.

Начата серийная поставка кристаллов на экспорт. Совместно с НПО «Автоматика» (г. Екатеринбург) Разработана конструкция, технология изготовления и созданы кристаллы микросхем для применения в цифровой системе управления ракетой-носителем Союз-2.
Подписано соглашение с компанией IXYS oб изготовлении кристаллов для электронных компонентов управления питанием под маркой IXYS.
Построена новая производственная линия для пластин кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 1мкн. Запуск новой линии позволит нарастить производственную мощность завода в два раза.
Для того, чтобы обеспечивать конкурентоспособность выпускаемых структур была внедрена система международных стандартов качества, высокое качество продукции подтверждено сертификатом соответствия системы качества международному стандарту ISO-9001  

Ведется разработка ограничителей переходный перенапряжений (симметричные TVS-диоды и матрицы)  

Совместно с Санкт-петербургским физико-техническим институтом имени А.Ф. Иоффе РАН ведется разработка технологии изготовления силовых интегральных тиристоров и модулей на их основе. В результате проведённого комплекса исследований создан первый образец и запатентован интегральный тиристор с внешним полевым управлением — новый прибор силовой микроэлектроники. Была также разработана серия высоковольтных ультрабыстрых диодов (УБД) с «мягкой» характеристикой обратного восстановления. Разрабатывается технология производства однокристальных низкоемкостных TVS- диодов.

Разработана технология изготовления Trench диодов Шоттки.

Разработка серии высоковольтных антипараллельных диодов на напряжения до 6500В и токи 100А совместно с Санкт-петербургским физико-техническим институтом имени А.Ф.Иоффе РАН .

Разработка мощных IGBT кремниевых транзисторов, выполненных по trench-технологии.

Разработка trench-технологии для изготовления n-канальных МОП транзисторов.
Передача в серийное производство быстродействующего, широкополосного операционного усилителя 1420УД1, совместно с АО «ОКБ МЭЛ».
Разработка 1200В УБД для внешнего рынка.

Сотрудничество с компанией DIOTEС. Совместная работа по изготовлению кристаллов диодов Шоттки, которые позволяют получать меньшее прямое падение напряжения по сравнению с предыдущими сериями.

Разработка серии 600 В УБД с низким временем обратного восстановления для внешнего рынка.

Разработка технологии и освоение биполярной радиационно-стойкой технологии с высоким уровнем стойкости, в том числе  производство приборов в корпусном исполнении.

Сотрудничество с АО «Протон» по разработка бескорпусных кремниевых эпитаксиально-планарных полевых транзисторов с изолированным затвором и n-каналом, со встроенным диодом, используемых в серии микросборок твердотельных реле.

Разработка TVS диодов по технологии ESDT с супернизкой ёмкостью.

Разработка и освоение выпрямительных мостов, состоящих из кремниевых эпитаксиально-планарных выпрямительных диодов, соединенных по однофазной мостовой схеме, в металлокерамических корпусах с изолированным основанием.
разработка и освоение выпрямительных диодов  кремниевых эпитаксиально-планарных в металлокерамических корпусах для поверхностного монтажа.

Разработка и освоение серии радиационно-стойких ультрабыстрых диодов в интересах АО «РКС» в корпусном исполнении.
Предприятие приступило к разработке технологического процесса выпуска кремниевых структур со сквозными каналами p-типа получаемыми методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента.

Разработка и освоение радиационно-стойких стабилитронов с напряжением стабилизации от 100 до 1200 В и статической мощностью до 5 Вт, в металлокерамическом корпусе МК КТ-93-2.

Разработка серии бескорпусных кремниевых эпитаксиально-планарных полевых транзисторов с изолированным затвором  n- и р-каналом, со встроенным диодом выполненных по trench-технологии.