Процессы окисления необходимы в течение всего цикла изготовления полупроводниковых приборов на этапе пластины. Отсюда и высокие требования к подготовке и выполнению данных процессов на нашем производстве.
В зависимости от этапа изготовления прибора и требований по толщине окисла мы можем выполнить следующие операции окисления:
1. Сухое окисление пластин диаметрами 76, 100, 150 мм и толщиной до 900 мкм. Процесс возможно выполнить на температурах 850, 900, 1000 или 1050 °С. Стандартная толщина окисла до 0,2 мкм.
2. Пирогенное окисление пластин диаметрами 76, 100, 150 мм и толщиной до 900 мкм. Процесс возможно выполнить на температурах 850, 900, 950, 1000 или 1050°С. Стандартная толщина окисла до 1,6 мкм.
3. Термокомпрессионное окисление пластин диаметрами 76, 100 мм и толщиной до 900 мкм. Процесс выполняется при температурах 750 или 950°С. Стандартная толщина окисла до 1,6 мкм.
Режимы предварительной химической обработки пластин согласуются с заказчиком.
Требования к пластинам: обрабатываемые пластины не должны нести следов метала или открытых слоев легированных фосфором.
В зависимости от этапа изготовления прибора и требований по толщине окисла мы можем выполнить следующие операции окисления:
1. Сухое окисление пластин диаметрами 76, 100, 150 мм и толщиной до 900 мкм. Процесс возможно выполнить на температурах 850, 900, 1000 или 1050 °С. Стандартная толщина окисла до 0,2 мкм.
2. Пирогенное окисление пластин диаметрами 76, 100, 150 мм и толщиной до 900 мкм. Процесс возможно выполнить на температурах 850, 900, 950, 1000 или 1050°С. Стандартная толщина окисла до 1,6 мкм.
3. Термокомпрессионное окисление пластин диаметрами 76, 100 мм и толщиной до 900 мкм. Процесс выполняется при температурах 750 или 950°С. Стандартная толщина окисла до 1,6 мкм.
Режимы предварительной химической обработки пластин согласуются с заказчиком.
Требования к пластинам: обрабатываемые пластины не должны нести следов метала или открытых слоев легированных фосфором.