Осаждение диэлектрических пленок

Процессы газофазного и плазмохимического осаждения особенно востребованы в индустрии производства полупроводников.

АО «ВЗПП-Микон» предлагает услуги по осаждению диэлектрических пленок:

1.       нитрида кремния (Si₃N₄) толщиной от 100 А, температура в реакторе 700°С;

2.       силикатного (Si0₂) и фосфоро–силикатного (ФСС) стекла толщиной от 0,1 мкм, температура в реакторе 700°С;

3.       низкотемпературное (500°С) осаждение ФСС толщиной от 0,4 мкм;

4.       поликремния толщиной от 0,2 мкм, температура в реакторе 650°С;

5.       поликремния легированного кислородом (ПЛК) толщиной от 0,3 мкм, температура в реакторе 700°С;

6.       плазмохимическое осаждение силикатных и оксинитридных стекол толщиной от 0,2 мкм, температура реактора 220°С.